半导体器件结构
基本信息
| 申请号 | CN202020535643.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211578758U | 公开（公告）日 | 2020-09-25 |
| 申请公布号 | CN211578758U | 申请公布日 | 2020-09-25 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王鹏;徐大朋;罗杰馨;柴展 | 申请（专利权）人 | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海新微技术研发中心有限公司;上海功成半导体科技有限公司 |
| 地址 | 201800上海市嘉定区城北路235号1号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体器件结构，半导体器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延结构，外延结构包括至少两层外延单元层，且至少两层具有不同的掺杂浓度；沟槽结构以及形成于沟槽结构中的第二导电类型的柱结构。本实用新型在制备外延结构的过程中，制备出包括少两层外延单元层的外延结构，且外延单元层中的至少两层具有不同的掺杂浓度，可以基于上述材料层的设置改变形成在外延结构中的沟槽结构的侧壁的形貌，从而可以使得在沟槽结构中形成的柱结构的形貌依据实际需求进行改进，可以改变沟槽结构侧壁与底部之间的倾斜情况，即改变柱结构侧壁与底部之间的倾斜情况，进而可以改善由其引起的电容急剧变化的问题。 |
