半导体器件结构
基本信息
| 申请号 | CN202020294837.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211238262U | 公开（公告）日 | 2020-08-11 |
| 申请公布号 | CN211238262U | 申请公布日 | 2020-08-11 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 | 申请（专利权）人 | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海新微技术研发中心有限公司;上海功成半导体科技有限公司 |
| 地址 | 201800上海市嘉定区城北路235号1号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：第一导电类型的第一基底，与第一基底相键合的第一导电类型的第二基底，第二导电类型的第一柱结构及第二柱结构，形成于第一基底中，第二柱结构与第一柱结构构成联合柱结构。本实用新型在第一沟槽及第一柱结构的制备的同时，引入了第二基底及第二沟槽，并形成第二柱结构，得到联合柱结构，从而可以第二沟槽改变第一沟槽的形貌，从而可以得到需要形状的联合柱结构，以适应器件的需求，可以解决由于第一沟槽的形貌的限制所带来的器件结构中电荷不平衡的问题，改善了电场的重新分布，提高了器件的耐压水平，提高器件性能。 |
