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超结器件

基本信息

申请号 CN202022983334.9 申请日 -
公开（公告）号 CN213660411U 公开（公告）日 2021-07-09
申请公布号 CN213660411U 申请公布日 2021-07-09
分类号 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 申请（专利权）人 上海功成半导体科技有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 罗泳文
地址 201800上海市嘉定区城北路235号1号楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种超结器件，包括：1）提供第一衬底并形成氧化层；2）将第一衬底与第二衬底键合，减薄第二衬底；3）基于光掩模，通过光刻‑刻蚀工艺在第二衬底刻蚀出贯通至氧化层呈倒梯形的沟槽；4）将第二衬底与第三衬底键合；5）去除第一衬底，并通过腐蚀去除氧化层，以显露沟槽的底部；6）对沟槽的底部进行刻蚀，以增大沟槽的底部宽度，使沟槽的形貌概呈矩形。本发明通过自宽度较小的沟槽底部进行刻蚀，以增大该沟槽底部的尺寸，从而使得该沟槽呈矩形，从而缩小超结结构中的P型柱和N型柱的电荷差距，使超结器件达到电荷平衡，从而提高超结器件的耐压性能及降低超结器件的导通电阻。