超结器件
基本信息
| 申请号 | CN202022983441.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213660412U | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN213660412U | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 | 申请（专利权）人 | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗泳文 |
| 地址 | 201800上海市嘉定区城北路235号1号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种超结器件，包括：1）提供第一衬底，所述第一衬底包括第一主面及第二主面，基于光掩模，通过光刻‑刻蚀工艺在第一衬底的第一主面刻蚀出沟槽，沟槽呈倒梯形；2）将第一衬底与第二衬底键合；3）减薄第一衬底，并保留一支撑层；4）氧化支撑层，腐蚀去除氧化层，以显露沟槽；5）基于与所述光掩模图形相同的硬掩膜版，对沟槽的底部进行刻蚀，以增大沟槽的底部宽度，使沟槽的形貌概呈矩形。本实用新型通过自宽度较小的沟槽底部进行刻蚀，以增大该沟槽底部的尺寸，从而使得该沟槽呈矩形，从而缩小超结结构中的P型柱和N型柱的电荷差距，使超结器件达到电荷平衡，从而提高超结器件的耐压性能及降低超结器件的导通电阻。 |
