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超结器件

基本信息

申请号 CN202022979737.6 申请日 -
公开（公告）号 CN213660410U 公开（公告）日 2021-07-09
申请公布号 CN213660410U 申请公布日 2021-07-09
分类号 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 申请（专利权）人 上海功成半导体科技有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 罗泳文
地址 201800上海市嘉定区城北路235号1号楼
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种超结器件，包括：1）在第一衬底及第二衬底的第一主面刻蚀出第一沟槽及第二沟槽，沟槽呈倒梯形；2）将第一衬底与第二衬底键合；3）减薄第一衬底，并保留一支撑层；4）氧化支撑层，腐蚀去除氧化层，以显露沟槽，所述沟槽呈纺锤形结构。本实用新型通过将分别刻蚀形成有倒梯形沟槽的第一衬底与第二衬底键合，形成纺锤形沟槽结构，并通过减薄显露出该纺锤形沟槽结构，纺锤形沟槽结构可以缩小超结结构中的P型柱和N型柱的电荷差距，使超结器件达到电荷平衡，从而提高超结器件的耐压性能及降低超结器件的导通电阻。