FD-SOI衬底结构及器件结构
基本信息
| 申请号 | CN202020792435.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211828771U | 公开（公告）日 | 2020-10-30 |
| 申请公布号 | CN211828771U | 申请公布日 | 2020-10-30 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 | 申请（专利权）人 | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海新微技术研发中心有限公司;上海功成半导体科技有限公司 |
| 地址 | 201800上海市嘉定区城北路235号1号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种FD‑SOI衬底结构及器件结构，FD‑SOI衬底结构包括依次层叠的硅基底、埋氧化层、顶锗硅层及氮氧化锗层。本实用新型的衬底结构采用顶锗硅层及氮氧化锗层的堆栈结构，顶锗硅层作为器件的沟道，不需要进行掺杂且厚度较薄，可以大幅降低源漏极之间的泄漏电流，另一方面，顶锗硅层可大幅提高空穴迁移率，进而提高器件性能。顶锗硅层上覆盖氮氧化锗层，可以有效防止锗硅沟道表面形成溶于水的GeO2或易挥发的GeO，提高器件的稳定性。 |
