半导体激光器的波导结构
基本信息
| 申请号 | CN202010216859.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113451885A | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN113451885A | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01S5/22（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨国文;唐松 | 申请（专利权）人 | 度亘核芯光电技术（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 付兴奇 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区苏州金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体激光器的波导结构，涉及半导体制造的技术领域。本申请的半导体激光器的波导结构包括衬底、下限制层、量子阱、上限制层和脊形成层，所述下限制层设置在所述衬底上；所述量子阱设置在所述下限制层上；所述上限制层设置在所述量子阱上；所述脊形成层设置在所述上限制层上，所述脊形成层包括刻蚀沟槽和脊波导；其中，所述刻蚀沟槽的槽顶宽度为0.5‑5μm。故本申请通过减小刻蚀沟槽的宽度来实现高阶模式的耦合，增大高阶模式的损耗，从而抑制高阶模的激射，保证基模激射的稳定性。 |
