半导体结构的覆盖层剥除方法及半导体结构失效分析方法
基本信息
| 申请号 | CN202110867542.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113311309B | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113311309B | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | H01L21/66（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨国文;王希敏;惠利省 | 申请（专利权）人 | 度亘核芯光电技术（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 杨萌 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的覆盖层剥除方法及半导体结构失效分析方法，涉及半导体结构失效分析技术领域，半导体结构的覆盖层剥除方法包括如下步骤：提供承载基板，将多个半导体结构固定连接在所述承载基板的上表面，且半导体结构的覆盖层位于主体的上方；对承载基板上的半导体结构的衬底进行离子注入，然后对离子注入后的衬底进行加热；去除破裂残渣；对剩余在主体上的衬底进行研磨，以去除衬底。本方案可以同时对多个半导体结构进行集中处理，离子注入与加热操作配合，使衬底开裂，达到去除衬底的绝大部分的效果，减少了对半导体结构的机械研磨时间，能够提高获取的主体的良品率。 |
