首页/ 度亘核芯光电技术（苏州）有限公司/ 专利详情

半导体结构钝化方法及设备

基本信息

申请号 CN202110971608.9 申请日 -
公开（公告）号 CN113422290A 公开（公告）日 2021-09-21
申请公布号 CN113422290A 申请公布日 2021-09-21
分类号 H01S5/028（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C23C16/30（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 惠利省;杨国文 申请（专利权）人 度亘核芯光电技术（苏州）有限公司
代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 杨萌
地址 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种半导体结构钝化方法及设备，涉及半导体解理的技术领域，所述半导体结构钝化方法包括步骤：将半导体结构置入到腔室内；利用氩等离子体轰击半导体结构的腔面；利用氢等离子体轰击半导体结构的腔面；向腔室内通入氮等离子体，以使氮等离子体能够在半导体结构腔面上形成氮化物层；在氮等离子体的环境下，向腔室输入铝源，用于在氮化物层的腔面形成氮化铝过渡层；在氮等离子体的环境下，向腔室输入镓源和砷源进行原子沉积，用于在氮化铝过渡层的表面形成铝镓砷钝化层。清除掉半导体结构腔面吸附的残渣颗粒和氧化物并进行表面钝化，可以极大降低腔面复合中心的存在，从而提高半导体结构的输出性能与寿命。