半导体结构、半导体元件及激光器
基本信息
| 申请号 | CN202120716558.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214379253U | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN214379253U | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01S5/34（2006.01）I;H01S5/18（2021.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨国文;唐松 | 申请（专利权）人 | 度亘核芯光电技术（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 孙海杰 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种半导体结构、半导体元件及激光器，涉及半导体的技术领域，半导体结构包括：半导体单元，半导体单元的上表面设置有向下延伸的第一凹槽结构；第一凹槽结构的底部设置有向下延伸的第二凹槽结构，且第二凹槽结构的宽度小于第一凹槽结构的宽度；第一凹槽结构和第二凹槽结构的外侧设置有由离子注入形成的高阻区。第一凹槽结构和第二凹槽结构可以形成离子注入的通道。加工第一凹槽结构和第二凹槽结构，再进行离子注入工序，在相同离子注入条件时，第一凹槽结构和第二凹槽结构能够增加离子注入的实际深度，降低离子注入的难度，缩短了离子注入的时间，通过刻蚀凹槽后进行离子注入的方法能够实现对多隧道结的超深横向电流扩展限制。 |
