一种半导体器件和热沉键合的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110894124.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113345809A | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN113345809A | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | H01L21/50（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;B23K1/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨国文;王希敏 | 申请（专利权）人 | 度亘核芯光电技术（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 张洋 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种半导体器件和热沉键合的方法，涉及半导体技术领域，包括衬底上形成外延层；外延层形成至少一个电流注入区和位于电流注入区两侧的非电流注入区，电流注入区和非电流注入区之间形成有隔离区；外延层上形成金属层，金属层覆盖电流注入区、非电流注入区和隔离区；金属层上形成多个导电导热结构，相邻导电导热结构之间有间隙，每个非电流注入区上都设有多个导电导热结构；多个导电导热结构上形成焊接层，焊接层覆盖导电导热结构、间隙和金属层；焊接热沉和焊接层。导电导热结构保证电流注入区不受力，焊接热沉时，减少焊接应力集聚；金属层和导电导热结构的形成，减小热沉和半导体器件焊接应力，减少或避免焊接使半导体器件局部扭曲。 |
