半导体器件解理方法
基本信息
| 申请号 | CN202110894220.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113345838A | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN113345838A | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | H01L21/78（2006.01）I;H01L21/3065（2006.01）I;H01L21/308（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨国文;王希敏;惠利省 | 申请（专利权）人 | 度亘核芯光电技术（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 杨萌 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件解理方法，涉及半导体加工技术领域。所述半导体器件解理方法包括如下步骤：通过等离子刻蚀或者化学腐蚀的方式在半导体器件的上表面形成向下表面一侧凹陷的凹陷结构，自所述半导体器件的上表面朝向下表面方向，所述凹陷结构的宽度逐渐减小；在半导体器件的上表面形成绝缘保护层;将半导体器件沿凹陷结构的深度方向进行解理。凹陷结构的宽度呈逐渐递减的形式向半导体器件内部延伸，从该位置处进行解理，可以在解理时能够使应力更集中。在半导体器件上表面形成绝缘保护层，可以防止在后续解理后的小半导体器件封装过程中，由于焊料容易移到半导体器件侧面，导致P面电子与N面衬底电接触形成短路和漏电。 |
