一种半导体器件和热沉键合的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110894097.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113345808A | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN113345808A | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | H01L21/50（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;B23K1/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨国文;王希敏 | 申请（专利权）人 | 度亘核芯光电技术（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 张洋 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种半导体器件和热沉键合的方法，涉及半导体技术领域，包括在半导体器件的外延层上形成第一金属层；外延层具有至少一个电流注入区和设在电流注入区两侧的非电流注入区，且电流注入区和非电流注入区之间具有间隔区，第一金属层覆盖电流注入区、非电流注入区和间隔区；在第一金属层上形成第二金属层，使第二金属层位于非电流注入区上；在第二金属层上形成焊料层，使焊料层覆盖第一金属层和第二金属层；将热沉和焊料层焊接。半导体器件和热沉键合时，第二金属层起到支撑作用；第二金属层设于电流注入区两侧，电流注入区不受力，焊接熔化的焊料处于自由流动状态，减小封装时对半导体器件的应力影响。 |
