门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN200910224636.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101707207A | 公开（公告）日 | 2010-05-12 |
| 申请公布号 | CN101707207A | 申请公布日 | 2010-05-12 |
| 分类号 | H01L29/74(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L21/332(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 中原基 | 申请（专利权）人 | 武汉光谷微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 武汉荆楚联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 武汉光谷微电子股份有限公司 |
| 地址 | 430074 湖北省武汉市东湖高新技术开发区珞喻路光谷中心花园A栋22座 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件及制造方法，属于微电子技术领域。可控硅器件包括N-衬底层(1)、P+扩散区(2)、N+扩散区(4)、台面凹槽玻璃钝化层(5)、门极(G)、阴极(T1)和阳极(T2)，门极(G)和阴极(T1)均位于可控硅器件同一侧的表面上，所述门极(G)和阴极(T1)一侧的表面上设置有表面玻璃钝化层(7)。通过湿法刻蚀全面去除氧化层，并烧结表面玻璃钝化层，消除了而因机械应力而导致硅片龟裂和破碎的现象，简化了工艺，降低了生产成本，提高了可控硅器件的可靠性，具有明显的技术先进性、显著的经济性和极强的实用性。 |
