深硅刻蚀双层复合掩膜层
基本信息
| 申请号 | CN202123047164.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216698283U | 公开（公告）日 | 2022-06-07 |
| 申请公布号 | CN216698283U | 申请公布日 | 2022-06-07 |
| 分类号 | H01L21/308（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周望;刘柏含;刘泽文;陈涛 | 申请（专利权）人 | 苏州希美微纳系统有限公司 |
| 代理机构 | 北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区9栋402室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种深硅刻蚀双层复合掩膜层，其包括SiO2薄膜和AZ4620光刻胶，总厚度为6至10μm。通过PE CVD制备SiO2薄膜，旋涂AZ4620光刻胶，光刻、显影和刻蚀SiO2薄膜获得最终产品。由此，采用双层掩蔽层结构，既解决了SiO2无法长厚的难题，也解决了光刻胶去胶难题。整个加工过程简单，无需考虑深硅刻蚀工艺选择比，也无需考虑加工间隔等待时间。 |
