高可靠性RFMEMS数字可变电容单元专利查询专利号|摘要-满商公司网

高可靠性RFMEMS数字可变电容单元

基本信息

申请号	CN201922262488.6	申请日	-
公开（公告）号	CN211208252U	公开（公告）日	2020-08-07
申请公布号	CN211208252U	申请公布日	2020-08-07
分类号	H01G7/00;H01G5/38	分类	-
发明人	王竞轩;刘泽文;肖倩;陈涛	申请（专利权）人	苏州希美微纳系统有限公司
代理机构	北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘洪勋
地址	215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区9栋402室
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及一种高可靠性RF MEMS数字可变电容单元，包括衬底，衬底上分布有RF电极、地结构和驱动电极，其中地结构和驱动电极分布在RF电极的两侧，地结构上连接有翘板式上极板，翘板式上极板连接有扭转梁，扭转梁的两侧分布有驱动电极；RF电极上附有用以隔离翘板式上极板与RF电极的介质层；在驱动过程中，翘板式上极板可与RF电极分别形成第一距离、第二距离和第三距离。由此，采用翘板式结构，电容值可控性强。可实现翘板式上极板与RF电极之间较大的距离变化，即可得到较大的变容比。若在第一距离电容状态与第三距离电容状态之间转换时，由于有驱动力和悬臂梁自身回复力的双重作用，响应速度更快。翘板式上极板的两端及支点处的扭转梁都固定于地结构。