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一种RF MEMS数字可变电容阵列构造

基本信息

申请号	CN201911298691.7	申请日	-
公开（公告）号	CN110853923A	公开（公告）日	2020-02-28
申请公布号	CN110853923A	申请公布日	2020-02-28
分类号	H01G5/38;H01G7/00	分类	基本电气元件;
发明人	王竞轩;刘泽文;肖倩;陈涛	申请（专利权）人	苏州希美微纳系统有限公司
代理机构	北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘洪勋
地址	215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区9栋402室
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种RF MEMS数字可变电容阵列构造，包括有衬底，衬底上分布有若干组基于翘板式结构的RF MEMS数字可变电容单元，各个RF MEMS数字可变电容单元分组后，围绕RF Pad分布，每组RF MEMS数字可变电容单元的RF电极与RF Pad接连，每组RF MEMS数字可变电容单元的最大容值均不相同，每组RF MEMS数字可变电容单元有两种电容状态，通过5位二进制数字驱动信号进行控制，RF Pad两侧均分布有GND Pad。由此，可变电容单元数量少，且可变电容容值的步阶多，调节范围广，可调性强。在5组单元，每组二个电容状态的条件下，有32个步阶。在5组单元，每组三个电容状态的条件下，有243个步阶。由数字信号控制，可与IC兼容。