低应力介质复合膜
基本信息
| 申请号 | CN202123025556.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216698280U | 公开（公告）日 | 2022-06-07 |
| 申请公布号 | CN216698280U | 申请公布日 | 2022-06-07 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/31（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周望;刘柏含;刘泽文;陈涛 | 申请（专利权）人 | 苏州希美微纳系统有限公司 |
| 代理机构 | 北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区9栋402室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种低应力介质复合膜，包括有单晶硅衬底，单晶硅衬底上分布有SiO2热氧化薄膜层，SiO2热氧化薄膜层上分布有SiO2薄膜层，SiO2薄膜层上分布有SiNx薄膜层。由此，通过对将薄膜的沉积参数的调整，让应力调节到接近于零应力。整体结构能构成适当的应力补偿，能够将SiO2薄膜层的压应力和SiNx薄膜层调节至相同，从而保证复合膜的低应力。整体构造简单，便于加工制造。 |
