热电堆红外探测器芯片
基本信息
| 申请号 | CN202123011494.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216698422U | 公开（公告）日 | 2022-06-07 |
| 申请公布号 | CN216698422U | 申请公布日 | 2022-06-07 |
| 分类号 | H01L35/22（2006.01）I;H01L35/34（2006.01）I;H01L35/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周望;刘柏含;刘泽文;陈涛 | 申请（专利权）人 | 苏州希美微纳系统有限公司 |
| 代理机构 | 北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区9栋402室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种热电堆红外探测器芯片，在SOI衬底上逆向成长各层结构，利用硅硅键合将各层结构转移至湿法深腔Si衬底表面，最后在转移芯片顶部生长吸收层材料。由此，利用硅硅键合将SOI衬底生长的结构层转移到湿法深硅刻蚀完成的硅片上，能使用湿法工艺提高生产效率并降低成本。能避免背面刻蚀过程中正面结构被腐蚀而受到损坏，提高优良率。整体制备方式较为简单，能够优化热电堆响应率、探测率和响应时间制备效率高。 |
