一种平面波导器件的生产工艺
基本信息
| 申请号 | CN201811515362.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109324369A | 公开（公告）日 | 2019-02-12 |
| 申请公布号 | CN109324369A | 申请公布日 | 2019-02-12 |
| 分类号 | G02B6/132 | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 袁晓君;徐彦平;廖鹏;耿凯鸽 | 申请（专利权）人 | 科新网通科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 科新网通科技有限公司 |
| 地址 | 471000 河南省洛阳市伊滨区科技大厦A座6007室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种平面波导器件的生产工艺，包括以下步骤：以硅片为基体，在硅片的上表面和下表面同时长一层高温二氧化硅膜；然后通过CVD沉积法在位于下层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜，再在位于上层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜；进行退火处理；在位于上层的TEOS膜的表面沉积一层氮氧化硅膜；然后进行退火；在氮氧化硅膜的表面再次沉积一层氮氧化硅膜作为波导芯层；在波导芯层的表面沉积一层TEOS膜，再在TEOS膜的表面沉积一层二氧化硅膜，然后在二氧化硅膜上沉积一层TEOS膜，再退火，即可。本发明的有益效果为：本发明所述生产工艺，以氮氧化硅为材料制备出一种具有较高折射率且折射率均匀性好的平面波导器件。 |
