SiON波导与光纤耦合结构及其制作方法

基本信息

申请号 CN201910014594.4 申请日 -
公开(公告)号 CN109445032A 公开(公告)日 2019-03-08
申请公布号 CN109445032A 申请公布日 2019-03-08
分类号 G02B6/26;G02B6/138;G02B6/136;G02B6/132 分类 光学;
发明人 袁晓君;耿凯鸽 申请(专利权)人 科新网通科技有限公司
代理机构 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 代理人 葛钟
地址 471000 河南省洛阳市伊滨区科技大厦A座6007室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种SiON波导与光纤耦合结构,包括SiON波导,为输入波导;二氧化硅波导,包覆于SiON波导的外侧;锥形SiON波导,被包覆于二氧化硅波导内侧,且处于SiON波导水平面的下方,且横截面尺寸小于SiON波导的横截面尺寸,横截面尺寸沿着光传输的方向渐扩;SiON输出波导,与锥形SiON波导连接。以及制作SiON波导与光纤耦合结构的方法。本发明在SiON波导上包覆一层SiO2,使这个结构与空气隔开并起到保护作用,SiON波导与锥形SiON波导的折射率不同,SiON波导能够与光纤匹配,锥形SiON波导又能够做到小尺寸,通过该种耦合结构,可以把器件做小,且减小了能耗。