一种平面微小极距多极充磁方法
基本信息
| 申请号 | CN201910482026.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110189884B | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN110189884B | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01F13/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 魏中华;何剑锋;吕婷茹 | 申请（专利权）人 | 浙江英洛华磁业有限公司 |
| 代理机构 | 杭州华鼎知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 欧阳俊 |
| 地址 | 322118 浙江省金华市东阳市横店镇横店工业园区浙江英洛华磁业有限公司 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种平面微小极距多极充磁方法，包括以下步骤：将需要充磁的磁体放入充磁线圈进行单向饱和充磁，在磁体待充磁面形成单一磁极；在磁体待充磁面上放置齿形导磁模具，对与齿形导磁模具接触的P个区域进行反向充磁，其余没接触的P个区域磁极不变；平面形成2P个磁极，完成平面多极充磁。本发明的优点是：采用齿形导磁模具进行充磁，利用磁场传导的方式对部分区域进行反向充磁，获得相反磁极，形成多极充磁，并且不用在模具的齿上布置导线，从而可以极大的降低导磁模具齿形的宽度，可以适应磁极宽度小于2mm的磁面充磁。 |
