首页/ 天合光能（常州）科技有限公司/ 专利详情

低氧低杂多晶硅铸锭方法

基本信息

申请号 CN201911351510.2 申请日 -
公开（公告）号 CN110983438B 公开（公告）日 2022-03-22
申请公布号 CN110983438B 申请公布日 2022-03-22
分类号 C30B28/06（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;B05D7/24（2006.01）I;B05D1/02（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 陈雪 申请（专利权）人 天合光能（常州）科技有限公司
代理机构 浙江永鼎律师事务所 代理人 郭小丽
地址 213031江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种低氧低杂多晶硅铸锭方法，属于多晶铸锭技术领域。它包括以下步骤：A、坩埚喷涂，将坩埚喷涂氮化硅溶液，B装料，籽晶装入坩埚底部，将硅料装入坩埚中，投入铸锭炉，C、加热熔化，抽真空条件下，冲入氩气保持流量稳定，保持底部籽晶不熔，硅料熔化，D、长晶，逐步增大隔热笼开度，控制长晶速度，实现定向凝固，E、退火冷却，对长晶结束的铸锭进行冷却退火，出炉进一步冷却，去除坩埚获得多晶硅锭。本发明制备的单晶硅氧含量和杂质均较低，降低氧含量有利于降低碳化硅的生产，减低碳化硅和氮化硅的杂质有利于提高晶体质量，同时提高晶体的良率，降低铸锭成本。