片层自组装结构二硫化钒@四硫化钒纳米材料及其制备方法、倍率性能优异可充电电池

基本信息

申请号 CN202210350246.6 申请日 -
公开(公告)号 CN114665078A 公开(公告)日 2022-06-24
申请公布号 CN114665078A 申请公布日 2022-06-24
分类号 H01M4/36(2006.01)I;H01M4/58(2010.01)I;H01M10/054(2010.01)I;C01G31/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 韩阗俐;王艳;陈中和;胡芸菲;张雅雯;刘金云 申请(专利权)人 安徽师范大学
代理机构 芜湖安汇知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 241000安徽省芜湖市弋江区花津南路安徽师范大学
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了片层自组装结构二硫化钒@四硫化钒纳米材料及其制备方法、倍率性能优异可充电电池,首先利用价格低廉的原料制备得到玫瑰状VS2纳米片,通过二次水热法得到VS2@VS4片层自组装结构纳米材料,片层自组装结构VS2@VS4是具有单层厚度在100~400nm的纳米材料,并且片层自组装结构VS2@VS4纳米材料安全环保,价格低廉。产品片层自组装结构VS2@VS4纳米材料在充放电过程中提供较多的活性位点,其片层状结构具有较大的比表面积,并且形成的三维层叠结构有效解决了在充放电过程材料体积变化大的问题,提高电池循环容量、稳定性和库伦效率。