一种TOPCon太阳能电池的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110473045.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113193082A | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN113193082A | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;C30B33/10（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I;C30B33/00（2006.01）I;C30B31/08（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙玉峰;瞿辉;曹玉甲 | 申请（专利权）人 | 常州顺风太阳能科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 朱晓凯 |
| 地址 | 213123江苏省常州市武进高新技术产业开发区阳湖路99号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种TOPCon太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：1）以N型硅片作为衬底进行清洗制绒；2）正面硼扩散；3）背面进行酸清洗、刻蚀；4）制遂穿氧化层以及多晶硅层：先双面生产一层氧化层，后采用分步法进行双面多晶硅层的制备；5）背面磷扩散：采用两步沉积法，先进行低温沉积低温推进，然后再进行高温沉积推进，后降温退火；6）去除正面PSG,去除正面整面多晶硅层；7）去BSG/PSG；8）双面钝化；9）印刷烧结。本发明通过双面生长Poly Si的工艺很好的解决了Poly Si绕镀的清洗问题；同时可有效提升电池的转化效率。 |
