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一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法

基本信息

申请号 CN202110355312.4 申请日 -
公开（公告）号 CN113140655A 公开（公告）日 2021-07-20
申请公布号 CN113140655A 申请公布日 2021-07-20
分类号 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0224（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 孙玉峰;瞿辉;曹玉甲 申请（专利权）人 常州顺风太阳能科技有限公司
代理机构 南京正联知识产权代理有限公司 代理人 朱晓凯
地址 213123江苏省常州市武进高新技术产业开发区阳湖路99号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，包括如下步骤：1）对N型硅片清洗制绒；2）正面硼扩散；3）背面酸洗、刻蚀或者抛光；4）背面氧化硅、多晶硅的复合双层制作；5）背面磷扩散；6）去除正面第二层多晶硅；7）印刷掩膜层；8）酸洗去正背面PSG、碱洗，碱抛形成轻、重扩区；9）正面沉积氧化铝；10）正面减反膜沉积；11）背面钝化膜沉积；12）电极印刷。本发明在炉管内直接制备出SiOx+Poly Si+SiOx+Poly Si复合双层结构，同时只需在原有的TOPCON电池制备流程上增加一步掩膜工序，通过清洗工艺就可以一步形成重、轻扩区，降低了制造成本低，易于实现量产化。