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一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010258865.3 申请日 -
公开（公告）号 CN111524983A 公开（公告）日 2020-08-11
申请公布号 CN111524983A 申请公布日 2020-08-11
分类号 H01L31/0224(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 袁宁一;王芹芹;丁建宁;程广贵;王书博 申请（专利权）人 常州顺风太阳能科技有限公司
代理机构 常州市英诺创信专利代理事务所（普通合伙） 代理人 常州大学
地址 213164江苏省常州市武进区滆湖路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于太阳能光伏行业领域，具体提供了一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法；采用双面选择性发射极的结构，在硼掺杂的重掺杂区域为氧化铝代替氧化硅作为遂穿层的多晶硅结构，可达到超过>1E20atom/cm3的恒定表面浓度提升填充因子(FF)，而轻扩区域为单纯的硼掺杂，重扩和轻扩的硼掺杂工艺可在一步中实现，简化了流程。对于磷掺杂区域采用氧化硅作为遂穿层，重掺杂区域为双层多晶硅(poly)结构具有高表面浓度，改善金属化接触，轻扩区域为单层浅掺杂poly结构，进而提升开路电压(Voc)。双面选择性发射极的形成有效地利用了掩膜刻蚀的方式。此结构可有效的提升电池效率，且适合批量化生产。