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一种银掺杂碳-硅复合负极材料的制备方法

基本信息

申请号	CN201310119313.4	申请日	-
公开（公告）号	CN103151504B	公开（公告）日	2015-10-28
申请公布号	CN103151504B	申请公布日	2015-10-28
分类号	H01M4/38(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	廖小玉;宗智慧	申请（专利权）人	东莞市深泓实业有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	312365 浙江省绍兴市上虞市崧厦镇三友村桥北53号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种银掺杂碳-硅复合负极材料的制备方法，包括如下步骤：（1）制备碳-硅复合材料；（2）将上述碳-硅复合材料加入到乙二醇溶液中，超声，抽滤，洗涤，烘干，粉碎，球磨，过筛，备用；称取相应质量的AgNO₃和聚乙烯吡咯烷酮，溶于氨水溶液中，搅拌；配置硼氢化钾溶液，将蒸馏水和氨水配置成母液，置于反应釜中，将上述备用的碳-硅复合材料放入母液中，搅拌的同时，将AgNO₃和聚乙烯吡咯烷酮的混合溶液和硼氢化钾溶液滴加到母液中，将反应产物离心，取出沉淀，稀释，抽滤并洗涤，干燥，得到银掺杂的碳-硅复合负极材料。本发明制备的锂离子电池掺杂导电性能更为优异的Ag，使得其兼具高容量和高导电性、高循环稳定性的特点。