一种半导体用超高纯氯化氢气体的制备装置及其工艺
基本信息
| 申请号 | CN202111321362.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113816338A | 公开（公告）日 | 2021-12-21 |
| 申请公布号 | CN113816338A | 申请公布日 | 2021-12-21 |
| 分类号 | C01B7/07（2006.01）I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 杜大艳;曹小林;吴祥虎 | 申请（专利权）人 | 湖北和远气体股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海精晟知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘诚 |
| 地址 | 443500湖北省宜昌市长阳土家族自治县龙舟坪镇龙舟大道52号（馨农家园）2栋1102号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体用超高纯氯化氢气体的制备装置及其工艺，以工业产品气体为原料，采用高分子渗透膜、金属阳离子交换树脂、稀土金属化合物脱水与高压精馏的结合，可将组分中CO2杂质脱除至0.1ppm以下、金属离子含量脱除至10ppt以下；所述制备工艺摆脱了现有技术对原料的依赖，在生产超高纯氯化氢气体的同时产生多种品质的氯化氢气体，尾气减少的同时易于处理，适用于工业化推广。 |
