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多晶硅还原炉

基本信息

申请号 CN201210128569.7 申请日 -
公开（公告）号 CN102659109B 公开（公告）日 2013-12-04
申请公布号 CN102659109B 申请公布日 2013-12-04
分类号 C01B33/035(2006.01)I 分类 无机化学;
发明人 何大伟;赵兴华;蒲晓东 申请（专利权）人 四川新光硅业科技有限责任公司
代理机构 四川力久律师事务所 代理人 四川新光硅业科技有限责任公司
地址 614000 四川省乐山市高新区乐高大道2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种多晶硅还原炉，该多晶硅还原炉包括炉架，炉架上安装有炉体，炉架与炉体之间安装有底盘，炉体与底盘配合构成一中空的腔室，底盘上安装有若干电极，电极上安装有石墨件，硅芯棒位于腔室内且与石墨件连接，其中，多晶硅还原炉还包括隔热底板与隔热罩，且隔热底板与隔热罩均位于腔室内，隔热底板安装于底盘上，炉体的内壁上固定安装有若干卡扣支撑板，隔热罩安装于卡扣支撑板上，隔热罩与隔热底板一起围成中空的反应室，且硅芯棒位于反应室内。本发明的多晶硅还原炉有效防止反应室内的热量被冷却水带走，提高了反应室的储热能力，减少了电能的浪费，提高了多晶硅的生产效率。