多晶硅还原炉用硅芯电极
基本信息
| 申请号 | CN200810186618.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101440519B | 公开（公告）日 | 2012-02-01 |
| 申请公布号 | CN101440519B | 申请公布日 | 2012-02-01 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C01B33/03(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 周积卫;茅陆荣;程佳彪;郝振良 | 申请（专利权）人 | 上海森和工程投资有限公司 |
| 代理机构 | 上海百一领御专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海森和工程投资有限公司;森松（江苏）重工有限公司 |
| 地址 | 201323 上海市浦东新区祝桥镇金闻路29号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅还原炉用硅芯电极，其包括有电极体、套置于该电极体顶部的加热石墨头硅芯、套设于电极体外缘的电极座、及位于电极体与电极座之间的绝缘套筒；电极体内部中间形成有盲孔，电极体位于还原炉外部即盲孔的开口端设置有能使冷却水循环进入电极体盲孔内部对电极体进行进一步冷却的冷却装置。借由本发明的硅芯电极，可以防止由于温度过高导致绝缘套筒失效造成的电极击穿现象。 |
