太赫兹表面等离子体波温度控制开关及其控制方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

太赫兹表面等离子体波温度控制开关及其控制方法

基本信息

申请号	CN201010578297.1	申请日	-
公开（公告）号	CN102176521B	公开（公告）日	2013-08-07
申请公布号	CN102176521B	申请公布日	2013-08-07
分类号	H01P1/15(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	杨涛;何浩培;仪明东;黄维;李兴鳌	申请（专利权）人	南京方圆环球显示技术有限公司
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司	代理人	叶连生
地址	210003 江苏省南京市新模范马路66号
法律状态	-

摘要

太赫兹表面等离子体波温度控制开关及控制方法涉及到一种太赫兹表面等离子体波温度控制装置，和利用本征半导体等离子体频率随温度变化的特性调制太赫兹表面等离子体波的一种方法。该开关包括一个等离子体频率在常温下处于太赫兹波段的本征半导体晶片(2)、两个平行放置的刀片(3)、以及一个温度控制器(5)，两个刀片(3)垂直于本征半导体晶片(2)，两个刀片(3)的刀口离本征半导体晶片(2)上表面的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波(4)在空气中的衰减距离，采用刀片(3)将太赫兹波转化为太赫兹表面等离子体波，以及过程相反的转化，通过温度控制器(5)控制本征半导体晶片(2)温度，从而改变该本征半导体的载流子浓度。