一种碳化硅晶体的高温二次退火方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种碳化硅晶体的高温二次退火方法

基本信息

申请号	CN202110459963.8	申请日	-
公开（公告）号	CN113174638A	公开（公告）日	2021-07-27
申请公布号	CN113174638A	申请公布日	2021-07-27
分类号	C30B29/36（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）N	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	黄四江;沙智勇;尹归;刘得伟;段金炽;普世坤;杨海平;王美春;殷云川	申请（专利权）人	云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
代理机构	昆明祥和知识产权代理有限公司	代理人	董昆生
地址	650000云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼
法律状态	-

摘要

本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体公开一种碳化硅晶体的高温二次退火方法，包括以下步骤：装晶体，使用分段式加热程序升温，一阶段升温至1300‑1500℃，二阶段升温至2000℃，然后进行保温，保证温度波动范围在2000±1℃之内，降温：采用阶梯式的降温程序，以每小时降温200W的功率降温10小时，再以每小时降温400W的功率降温10小时；用10小时把功率降到0，晶体在晶炉中经24小时充分冷却后取出，该碳化硅高温二次退火的工艺采用升温、保温、降温的三段式，可更好的释放应力和避免应力进一步发展，而且控温能精确的把温度控制在保温所需的温度要求；在降温阶段通过分阶段冷却保证高温降温慢，低温降温快，减少用时的同时避免应力释放后又重新生成。