一种利用液固相分离制备电子封装用高硅铝复合材料的方法
基本信息
| 申请号 | CN201510521926.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106475545A | 公开（公告）日 | 2017-03-08 |
| 申请公布号 | CN106475545A | 申请公布日 | 2017-03-08 |
| 分类号 | B22D17/00(2006.01)I;C22C21/02(2006.01)I | 分类 | 铸造；粉末冶金; |
| 发明人 | 刘俊友;李艳霞;尹衍利;黄瑛;周洪宇 | 申请（专利权）人 | 北京科大科技园有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号北京科技大学方兴大厦6层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种制备高硅含量(40-70wt.％Si)硅铝复合材料的方法。采用熔铸法制备低硅铝合金坯料，Si含量为20-30wt.％；坯料加热至铝硅二元合金液固两相温度区(共晶温度以上5～30℃)，保温一定时间获得半固态浆料6；浆料6置于带有分离机构5的模具型腔8中，通过压头9施加一定压力，使液相通过分离机构5流入型腔3中，留在型腔8中的剩余富硅相半固态浆料在压力作用下凝固，获得含(40-70wt.％)Si的高硅铝复合材料。该工艺方法流程短、成本低，制备的高硅铝材料具有高致密度、轻质、低膨胀、高导热、良好的力学性能等特点，适用于高性能电子封装壳体制作。 |
