一种5g应用低损耗软磁铁氧体材料及其制备方法
基本信息
申请号 | CN202110534300.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113200741A | 公开(公告)日 | 2021-08-03 |
申请公布号 | CN113200741A | 申请公布日 | 2021-08-03 |
分类号 | C04B35/38(2006.01)I;H01F1/34(2006.01)I;H01F1/36(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/628(2006.01)I;C04B35/80(2006.01)I | 分类 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
发明人 | 姚木有;苏荣佳;林正崇;谭福清;郭皓 | 申请(专利权)人 | 广东肇庆微硕电子有限公司 |
代理机构 | 武汉经世知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 高照 |
地址 | 441000湖北省襄阳市高新区深圳大道与杭州路交汇处 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明属于铁氧体合成技术领域,一种5g应用低损耗软磁铁氧体材料及其制备方法,原料包括改性Fe2O3、Mn3O3、ZnO的混合物,原料含量改性Fe2O3为36.8mol%~38.5mol%、ZnO为26.4mol%~28.2mol%,余量为Mn3O3,软磁铁氧体材料中还包括添加剂,添加剂包括CaCO3、Nb2O3、Bi2O3、V2O3、Co2O3、MoO3中的至少四种,软磁铁氧体材料中还包括阻畸剂,本发明采用Fe2O3内部包裹SiC纤维的方式进行改性Fe2O3,改性后的原料能够进行从运料混合后的晶体内部的各个方向进行掺杂,掺杂效果更显著,同时阻畸剂在晶体表面形成的阻隔层能够减少空隙的同时还能够使晶格不发生形变,并且该阻畸剂在后续的烧结过程中会挥发,使铁氧体能够在保证较低的介电损耗的同时还能够保持较高的磁导率。 |
