一种石墨烯基纳米线复合结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610879358.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106348244B | 公开（公告）日 | 2019-03-05 |
| 申请公布号 | CN106348244B | 申请公布日 | 2019-03-05 |
| 分类号 | B81B7/04;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 汪际军 | 申请（专利权）人 | 全普半导体科技（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张衡路1000弄2号楼206 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种石墨烯基纳米线复合结构及其制备方法，采用至少两种不同主族的金属化合物纳米线垂直生长于石墨烯基底上，从而确保石墨烯基底性能的前提下，提高了石墨烯基底的比表面积，以及将至少两种不同主族的金属化合物纳米线的性能与石墨烯的性能相结合，有利于石墨烯材料应用于半导体技术领域中；同时，两种不同主族的金属化合物纳米线的直径不相同，直径大的金属化合物纳米线的表面积占比大于直径小的金属化合物纳米线的表面积占比，此时，直径大的金属化合物纳米线的性能为石墨烯基纳米线复合结构的主要性能，从而通过选择调节纳米线的材料和直径，来实现石墨烯基纳米线复合结构的性能可调节性和灵活可选性。 |
