一种高强度氮化硅陶瓷及其制备方法
基本信息
申请号 | CN202010866098.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114085084A | 公开(公告)日 | 2022-02-25 |
申请公布号 | CN114085084A | 申请公布日 | 2022-02-25 |
分类号 | C04B35/596(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I;C04B35/638(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;C04B35/634(2006.01)I;B33Y70/10(2020.01)I;B33Y10/00(2015.01)I;B28B1/00(2006.01)I;B28B3/00(2006.01)I | 分类 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
发明人 | 王克杰;卢秉恒;鲍崇高;刘荣臻 | 申请(专利权)人 | 西安增材制造国家研究院有限公司 |
代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 马贵香 |
地址 | 710000陕西省西安市高新区上林苑八路997号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种高强度氮化硅陶瓷及其制备方法。该方法首先将氮化硅粉末和烧结助剂进行喷雾造粒,然后将树脂粉和固化剂粉末混合后通过3D打印中的SLS制备出陶瓷坯体,通过两次冷等静压技术处理陶瓷坯体,降低陶瓷坯体中的孔隙率,提高陶瓷坯体的致密度;冷等静压前,将陶瓷坯体套上橡胶套,橡胶套能够避免冷等静压过程中水或油进入到坯体表面;冷等静压后,陶瓷坯体颗粒之间的排列更为紧密,致密度得到提高;提升试件力学性能;通过脱脂能够去除陶瓷坯体中的树脂;最后通过物理打磨抛光或化学腐蚀去除构件在渗硅后表面少量的硅,提高试件尺寸精度;步骤简单,易于实现。 |
