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一种磷化铟衬底晶片的清洗方法

基本信息

申请号 CN202111045844.4 申请日 -
公开（公告）号 CN113793801A 公开（公告）日 2021-12-14
申请公布号 CN113793801A 申请公布日 2021-12-14
分类号 H01L21/02（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 郑金龙;周铁军;马金峰;刘良副;董晨晨;曾琦;宋向荣 申请（专利权）人 广东先导微电子科技有限公司
代理机构 北京天盾知识产权代理有限公司 代理人 朱伟雄
地址 511517广东省清远市高新区创兴三路16号A车间
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种磷化铟衬底晶片的清洗方法，包括：将晶片依次采用热硫酸和冷硫酸浸泡处理，再进行S1清洗液、S2清洗液和S3清洗液清洗，最后再采用双氧水清洗。本发明的磷化铟衬底晶片的清洗方法得到的清洗表面杂质离子含量比现有工艺更低，降低了外延的缺陷率，使外延层与磷化铟衬底层更为匹配，不仅明显优化和改善了衬底表面质量，在不破坏晶片抛光后粗糙度的前提下，能够降低氧化层厚度、且能有效控制表面白雾和表面杂质含量，而且本发明的清洗工艺显著地提高了产品的成品率，极大地降低了生产成本。