蓝宝石衬底的刻蚀方法
基本信息
申请号 | CN202111556267.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114220893A | 公开(公告)日 | 2022-03-22 |
申请公布号 | CN114220893A | 申请公布日 | 2022-03-22 |
分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 刘思东 | 申请(专利权)人 | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
代理机构 | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周永强 |
地址 | 100176北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本申请公开了一种蓝宝石衬底的刻蚀方法,涉及半导体技术领域。一种蓝宝石衬底的刻蚀方法包括:掩膜形成步骤,在蓝宝石衬底的表面形成光刻胶掩膜图形;第一刻蚀步骤,通入第一刻蚀气体刻蚀蓝宝石衬底和光刻胶掩膜图形,使蓝宝石衬底上初步形成所需的图形轮廓,同时在光刻胶掩膜图形的侧壁形成拐角;第二刻蚀步骤,通入第二刻蚀气体刻蚀光刻胶掩膜图形,去除拐角并修直光刻胶掩膜图形的侧壁;循环第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤,直到光刻胶掩膜图形完全去除;第三刻蚀步骤,通入第三刻蚀气体,并施加比第一刻蚀步骤高的下电极功率,获得具有圆锥状凸起结构的蓝宝石衬底。本申请能够解决PSS衬底侧壁弧度大导致芯片亮度降低的问题。 |
