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上电极组件及半导体工艺腔室

基本信息

申请号	CN202111563611.3	申请日	-
公开（公告）号	CN114220752A	公开（公告）日	2022-03-22
申请公布号	CN114220752A	申请公布日	2022-03-22
分类号	H01L21/67（2006.01）I;H01J37/32（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	刘建;王炳元	申请（专利权）人	北京北方华创微电子装备有限公司
代理机构	北京国昊天诚知识产权代理有限公司	代理人	高东
地址	100176北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
法律状态	-

摘要

本发明公开一种上电极组件及半导体工艺腔室，所述上电极组件包括射频线圈（100）、供电装置和过温保护装置（300）；所述过温保护装置（300）包括盒体（310）和温度控制件（320），所述温度控制件（320）设置于所述盒体（310）上，所述盒体（310）开设有内腔（310a），所述射频线圈（100）的至少部分位于所述内腔（310a）中，所述射频线圈（100）与所述供电装置通过所述温度控制件（320）电连接，所述温度控制件（320）用于检测所述内腔（310a）的温度，当所述内腔（310a）的温度大于预设温度时，所述温度控制件（320）断路，以使所述射频线圈（100）与所述供电装置断路。上述方案能够解决半导体工艺腔室的安全性和可靠性较差的问题。