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一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法

基本信息

申请号 CN201710614191.4 申请日 -
公开（公告）号 CN107331793B 公开（公告）日 2019-06-14
申请公布号 CN107331793B 申请公布日 2019-06-14
分类号 H01L51/52（2006.01）I; H01L51/56（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 季渊; 沈伟星 申请（专利权）人 南京迈智芯微光电科技有限公司
代理机构 上海旭诚知识产权代理有限公司 代理人 南京迈智芯微光电科技有限公司;南京昀光科技有限公司
地址 210006 江苏省南京市秦淮区牵牛巷16号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法，涉及硅基有机发光领域，其中硅基有机发光器件底电极包括第一金属层、连接孔、透明绝缘膜、有机接触层，硅基底中含有金属氧化物半导体场效应晶体管，连接孔设置于透明绝缘膜中，有机接触层通过连接孔连接至第一金属层，第一金属层连接至金属氧化物半导体场效应晶体管的输出端。连接第一金属层和有机接触层的连接孔设置在底电极的边缘位置或四角位置且突出于发光区。绝缘钝化物包覆有机接触层的外围边缘。本发明的硅基有机发光器件底电极结构将反光层下移，通孔偏置并且对电极进行覆盖绝缘钝化物处理，极大提高了有机发光层铺设时的平整度并减小了电极厚度，提高了发光效率和良品率。