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一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺

基本信息

申请号	CN201710612643.5	申请日	-
公开（公告）号	CN107394056B	公开（公告）日	2019-04-30
申请公布号	CN107394056B	申请公布日	2019-04-30
分类号	H01L51/52（2006.01）I; H01L51/56（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	季渊; 沈伟星	申请（专利权）人	南京迈智芯微光电科技有限公司
代理机构	上海旭诚知识产权代理有限公司	代理人	郑立
地址	211113 江苏省南京市江宁区梅林街18号（江宁开发区）
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺，电极结构由硅基接触层、光反射层和有机接触层组成，其中所述电极结构从硅基底开始依次为硅基接触层、光反射层和有机接触层；所述电极结构的侧壁与所述硅基底呈角度，且所述电极结构与相邻凹槽的宽深比不小于2：1。本发明所述的制备工艺，使用真空蒸发、溅射、离子镀膜或PECVD方法产生所述硅基接触层、光反射层和有机接触层，在刻蚀过程采用多套掩膜版和不同浓度的刻蚀剂使得刻蚀后所述电极结构的侧壁与所述硅基底呈角度，并且在垂直于衬底的方向上过刻；所述电极宽度不大于20μm；所述硅基底中包含驱动电路。本所述的电极结构在侧壁上具有斜面和台阶，有效降低沉积源斜向溅射引起的阴影问题。