一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202010132237.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111261356B | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN111261356B | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01F1/057（2006.01）I;H01F41/00（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 付刚;黄佳莹;权其琛;黄清芳;许德钦 | 申请（专利权）人 | 厦门钨业股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 | 代理人 | 薛琦;倪丽红 |
| 地址 | 361000福建省厦门市海沧区柯井社 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料及其制备方法和应用。该永磁材料包含下述组分：R：28.4‑33.1wt％；Ga：≥0.35wt％；Al：0.08‑0.125wt％；Cu：≥0.4wt％；B：0.84‑0.945wt％；Fe：64.1‑69.7wt％；其中：当永磁材料包含Ti时，Ti的含量为0.15‑0.255wt％；当永磁材料包含Zr时，Zr的含量为0.195‑0.35wt％；当永磁材料包含Nb时，Nb的含量为0.195‑0.5wt％；所述R‑T‑B系永磁材料中不含有Co。该永磁材料磁性能优异，退磁曲线光滑，无台阶，相对磁导率低，磁体性能一致性好。 |
