量子阱发光结构、GaN基绿光发光二极管及生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202010385334.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111525004A | 公开（公告）日 | 2020-08-11 |
| 申请公布号 | CN111525004A | 申请公布日 | 2020-08-11 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 康建;焦建军;陈向东 | 申请（专利权）人 | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 地址 | 243000安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种量子阱发光结构、GaN基绿光发光二极管及生长方法，涉及半导体照明技术领域，用于解决发光二极管在驱动电流变化下蓝移以及半峰宽增加的技术问题，本发明实施例提供的量子阱发光层具有至少一层InxGa1‑xN层和至少一层InyGa1‑yN层形成的层叠设置，且存在InxGa1‑xN层与InyGa1‑yN层相邻设置的层叠组合，并保证0＜x＜1，0＜y＜1，x>y，利用InyGa1‑yN层这一低In组分层来弥补InxGa1‑xN层这一高In组分层中的缺陷。相应的生长方法通过对量子阱进行复合增长，可以有效降低量子阱内由于高In组分导致的晶格失配所引起的压电场。 |
