一种紫外LED外延结构及其生长方法

基本信息

申请号 CN202010043536.7 申请日 -
公开(公告)号 CN111244237B 公开(公告)日 2021-04-30
申请公布号 CN111244237B 申请公布日 2021-04-30
分类号 H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 分类 基本电气元件;
发明人 康建;蔡武;马刚;米亭亭;林秀娟;陈向东;梁旭东 申请(专利权)人 圆融光电科技股份有限公司
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人 黄健;臧建明
地址 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种紫外LED外延结构及其生长方法,该外延结构包括多量子阱结构,多量子阱结构由下至上依次包括电子减速层、前置发光层以及后置发光层;其中,电子减速层包括至少一组由势阱层InaGa1‑aN和势垒层AlxGa1‑xN层叠设置而成的第一量子阱结构,前置发光层包括至少一组由势阱层InbGa1‑b和势垒层AlyGa1‑yN层叠设置而成的第二量子阱结构,后置发光层包括至少一组由势阱层IncGa1‑cN和势垒层AlzGa1‑zN层叠设置而成的第三量子阱结构,0.01