一种紫外LED外延结构及其生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202010043536.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111244237B | 公开（公告）日 | 2021-04-30 |
| 申请公布号 | CN111244237B | 申请公布日 | 2021-04-30 |
| 分类号 | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 康建;蔡武;马刚;米亭亭;林秀娟;陈向东;梁旭东 | 申请（专利权）人 | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄健;臧建明 |
| 地址 | 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种紫外LED外延结构及其生长方法，该外延结构包括多量子阱结构，多量子阱结构由下至上依次包括电子减速层、前置发光层以及后置发光层；其中，电子减速层包括至少一组由势阱层InaGa1‑aN和势垒层AlxGa1‑xN层叠设置而成的第一量子阱结构，前置发光层包括至少一组由势阱层InbGa1‑b和势垒层AlyGa1‑yN层叠设置而成的第二量子阱结构，后置发光层包括至少一组由势阱层IncGa1‑cN和势垒层AlzGa1‑zN层叠设置而成的第三量子阱结构，0.01 |
