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一种发光二极管的生长方法和发光二极管

基本信息

申请号 CN201911023427.2 申请日 -
公开（公告）号 CN110739374A 公开（公告）日 2020-01-31
申请公布号 CN110739374A 申请公布日 2020-01-31
分类号 H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 分类 基本电气元件;
发明人 康建;焦建军;陈向东 申请（专利权）人 圆融光电科技股份有限公司
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人 圆融光电科技股份有限公司
地址 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种发光二极管的生长方法和发光二极管，生长方法包括：1)在800‑930℃和200Torr下，向反应设备中通入氮气、氨气、三甲基铝、三甲基镓以及三甲基铟，在量子阱发光层上生长第一AlxInyGa1‑x‑yN层后，停止通入所述氮气、氨气、三甲基铝、三甲基镓以及三甲基铟；2)向反应设备中通入氢气，使第一AlxInyGa1‑x‑yN层转化为第一AlxGa1‑xN层；3)循环执行步骤1)‑步骤2)T次，得到电子阻挡层AlxGa1‑xN；其中，0＜x＜1，0＜y＜1，x＞y。该方法有助于在对量子阱结构不产生消极影响的基础上生长高质量的电子阻挡层。