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一种GaN发光二级管及其制备方法和LED芯片

基本信息

申请号 CN201811507471.6 申请日 -
公开（公告）号 CN109346587B 公开（公告）日 2020-03-13
申请公布号 CN109346587B 申请公布日 2020-03-13
分类号 H01L33/40;H01L33/38 分类 基本电气元件;
发明人 康建;焦建军;梁旭东;陈向东 申请（专利权）人 圆融光电科技股份有限公司
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人 圆融光电科技股份有限公司
地址 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种GaN发光二级管及其制备方法和LED芯片，GaN发光二级管包括：包括依次层叠设置在衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层和透明导电层，所述透明导电层上设有P型电极层，所述N型GaN层上设有与所述发光层隔开的N型电极层，且所述P型电极层和所述N型电极层包括多个Al层和多个Al/Si合金层，且所述多个Al层和多个Al/Si合金层依次交替层叠设置。本发明提供的GaN发光二级管解决了现有GaN发光二级管中电极层采用Al金属制作时由于金属Al的延展性较差、硬度过高且Al元素易氧化而造成封装焊线过程中电极线容易脱落以及焊线不牢的问题。