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一种制备石墨烯基底电极及电池和超级电容器的方法

基本信息

申请号 CN201410231358.5 申请日 -
公开（公告）号 CN105304860B 公开（公告）日 2018-06-29
申请公布号 CN105304860B 申请公布日 2018-06-29
分类号 H01M4/133;H01M4/1393;H01G11/36;H01G11/86 分类 基本电气元件;
发明人 杨与胜;赵昕 申请（专利权）人 福建省辉锐材料科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 362000 福建省泉州市泉州台商投资区行政办公大楼5楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种制备石墨烯基底电极及电池和超级电容器的方法，所述方法包括步骤如下：a.在第一衬底上形成第一石墨烯薄膜；b.在第二衬底上形成第二石墨烯薄膜；c.在所述第二石墨烯薄膜上应用抗腐蚀复合物，覆盖第二石墨烯薄膜形成抗腐蚀涂层；d.干燥所述抗腐蚀剂涂层；e.去除所述第二衬底；f.将所述第二石墨烯薄膜置于所述第一石墨烯薄膜层上并与其接触形成石墨烯薄膜叠加层；g.从所述石墨烯薄膜叠加层上去除所述抗腐蚀涂层；h.重复步骤b‑g，在叠加层上进一步叠加石墨烯薄膜直至获得需要的石墨烯薄膜叠加层厚度；i.从所述的石墨烯薄膜叠加层底部去除所述第一衬底，形成所述电极。