一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法
基本信息
| 申请号 | CN202210231487.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114613699A | 公开（公告）日 | 2022-06-10 |
| 申请公布号 | CN114613699A | 申请公布日 | 2022-06-10 |
| 分类号 | H01L21/67（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 谢进;邓雪华;王银海;郭佳龙 | 申请（专利权）人 | 南京盛鑫半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 211110江苏省南京市江宁区正方中路166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法,包括步骤：（1）准备温度控片；（2）反应腔升温并进行HCL清洁；（3）冷却至室温，装入温度控片；（4）以恒定的升温速率升温至1150‑1200℃进行烘烤；（5）取出温度控片进行化学处理；（6）对温度控片进行电阻率测试，获得温度控片各区域温度并进行温度补偿；（7）清洗待外延的硅片并重复步（2）的操作后，将待外延的硅片放入反应腔；以步骤（4）中的升温速率升温至预设烘烤温度并同步进行步骤（6）中的温度补偿，进行烘烤；调整反应腔温度至生长温度，通入SiHCl3、H2并掺杂，外延生长至目标厚度和目标电阻率。本发明能够有效控制外延过程中硅片表面的温度分布，更好控制滑移线的产生。 |
