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可规划的非易失性内容可定址存储器及其操作方法

基本信息

申请号 CN201510226561.8 申请日 -
公开（公告）号 CN106205685B 公开（公告）日 2018-08-28
申请公布号 CN106205685B 申请公布日 2018-08-28
分类号 G11C15/04 分类 信息存储;
发明人 王立中 申请（专利权）人 芯立嘉集成电路（杭州）有限公司
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 闪矽公司
地址 美国加利福尼亚州
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种可规划的非易失性内容可定址存储器及其操作方法，该非易失性内容可定址存储器包含一个互补的非易失性存储器装置对及一个MOSFET装置。规划的非易失性内容可定址存储器单元可被建构以形成一NOR型匹配线非易失性存储器阵列及一NAND型匹配线非易失性存储器阵列。相较于只能根据已知的储存地址利用地址码来存取随机存储器，本发明可规划的非易失性内容可定址存储器可预先规划非易失性存储器内容数据以及利用输入内容数据来搜寻以触发后续的运算过程。本发明可规划的非易失性内容可定址存储器的独特性为神经运算技术提供一个关键元件。